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童诗白《模拟电子技术基础》（第4版）配套题库【名校考研真题＋课后习题＋章节题库
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作者:
ooo
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17-8-6 17:23
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童诗白《模拟电子技术基础》（第4版）配套题库【名校考研真题＋课后习题＋章节题库
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内容简介
目录
第一部分 名校考研真题
说明：本部分从指定童诗白编写的《模拟电子技术基础》（第4版）为考研参考书目的名校历年考研真题中挑选最具代表性的部分，并对其进行了详细的解答。所选考研真题既注重对基础知识的掌握，让学员具有扎实的专业基础；又对一些重难点部分（包括教材中未涉及到的知识点）进行详细阐释，以使学员不遗漏任何一个重要知识点。
第1章 常用半导体器件
第2章 基本放大电路
第3章 多级放大电路
第4章 集成运算放大电路
第5章 放大电路的频率响应
第6章 放大电路中的反馈
第7章 信号的运算和处理
第8章 波形的发生器和信号的转换
第9章 功率放大电路
第10章 直流电源
第11章 模拟电子电路读图
第二部分 课后习题
说明：本部分对童诗白编写的《模拟电子技术基础》（第4版）教材每一章的课后习题进行了详细的分析和解答，并对个别知识点进行了扩展。课后习题答案经过多次修改，质量上乘，非常标准，特别适合应试作答和临考冲刺。
第1章 常用半导体器件
第2章 基本放大电路
第3章 多级放大电路
第4章 集成运算放大电路
第5章 放大电路的频率响应
第6章 放大电路中的反馈
第7章 信号的运算和处理
第8章 波形的发生器和信号的转换
第9章 功率放大电路
第10章 直流电源
第11章 模拟电子电路读图
第三部分 章节题库
说明：本部分严格按照童诗白编写的《模拟电子技术基础》（第4版）教材内容进行编写，每一章都精心挑选经典常见考题，并予以详细解答。熟练掌握本书考题的解答，有助于学员理解和掌握有关概念、原理，并提高解题能力。
第1章 常用半导体器件
第2章 基本放大电路
第3章 多级放大电路
第4章 集成运算放大电路
第5章 放大电路的频率响应
第6章 放大电路的反馈
第7章 信号的运算和处理
第8章 波形的发生器和信号的转换
第9章 功率放大电路
第10章 直流电源
第11章 模拟电子电路读图
第四部分 模拟试题
说明：参照童诗白编写的《模拟电子技术基础》（第4版）教材，根据各高校历年考研真题的命题规律及热门考点精心编写了两套考前模拟试题，并提供详尽、标准解答。通过模拟试题的练习，学员既可以用来检测学习该考试科目的效果，又可以用来评估对自己的应试能力。
童诗白《模拟电子技术基础》（第4版）配套模拟试题及详解（一）
童诗白《模拟电子技术基础》（第4版）配套模拟试题及详解（二）
内容简介
童诗白编写的《模拟电子技术基础》（第4版）是我国高校电子信息类专业广泛采用的权威教材之一，也被众多高校（包括科研机构）指定为考研考博专业课参考书目。
为了帮助参加研究生入学考试指定考研参考书目为童诗白编写的《模拟电子技术基础》（第4版）的考生复习专业课，我们根据教材和名校考研真题的命题规律精心编写了童诗白《模拟电子技术基础》（第4版）辅导用书（均提供免费下载，免费升级）：
1．[3D电子书]童诗白《模拟电子技术基础》（第4版）笔记和课后习题（含考研真题）详解[免费下载]
2．[3D电子书]童诗白《模拟电子技术基础》（第4版）配套题库【名校考研真题+课后习题+章节题库+模拟试题】[免费下载]
不同一般意义的传统题库，本题库是详解研究生入学考试指定考研参考书目为童诗白《模拟电子技术基础》的配套题库，包括名校考研真题、课后习题、章节题库和模拟试题四大部分。最新历年考研真题及视频，可免费升级获得。具体来说，每章包括以下四部分：
第一部分为名校考研真题。本部分从指定童诗白编写的《模拟电子技术基础》（第4版）为考研参考书目的名校历年考研真题中挑选最具代表性的部分，并对其进行了详细的解答。所选考研真题既注重对基础知识的掌握，让学员具有扎实的专业基础；又对一些重难点部分（包括教材中未涉及到的知识点）进行详细阐释，以使学员不遗漏任何一个重要知识点。
第二部分为课后习题及详解。本部分对童诗白编写的《模拟电子技术基础》（第4版）教材每一章的课后习题进行了详细的分析和解答，并对个别知识点进行了扩展。课后习题答案经过多次修改，质量上乘，非常标准，特别适合应试作答和临考冲刺。
第三部分为章节题库及详解。本部分严格按照童诗白编写的《模拟电子技术基础》（第4版）教材内容进行编写，每一章都精心挑选经典常见考题，并予以详细解答。熟练掌握本书考题的解答，有助于学员理解和掌握有关概念、原理，并提高解题能力。
第四部分为模拟试题及详解。参照童诗白编写的《模拟电子技术基础》（第4版）教材，根据各高校历年考研真题的命题规律及热门考点精心编写了两套考前模拟试题，并提供详尽、标准解答。通过模拟试题的练习，学员既可以用来检测学习该考试科目的效果，又可以用来评估对自己的应试能力。
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内容预览
第一部分 名校考研真题
第1章 常用半导体器件
一、选择题
1．电路如图1-1所示，设DZ1的稳定电压为6V，DZ2的稳定电压为12V，设稳压管的正向压降为0.7V，输出电压Uo等于（ ）。[北京科技大学2011研]
图1-1
A.．18V
B．6.7V
C．12.7V
D．6V
【答案】B查看答案
【解析】由电压源可以判断电流方向为顺时针方向，DZ1是反向接入，DZ2 是正向接入。又由于稳压管只有工作在反向区，才表现出稳压特性，所以输出电压Uo即为DZ1 稳定电压6V与DZ2 正向压降0.7V之和，即6.7V。
2．测得某晶体管三个电极之间的电压分别为UBE＝－0.2V，UCE＝－5V，UBC＝4.8V，则此晶体管的类型为( )[北京科技大学2010研]
A．PNP锗管
B．NPN锗管
C．PNP硅管
D．NPN硅管
【答案】A查看答案
【解析】由|UBE|＝0.2可判断为锗管，因为硅管的|UBE|＝0.7。晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置，即NPN管UE＜UB＜UC，PNP管UC＜UB＜UE。由题中UBE＝－0.2V知UB＜UE；由UCE＝－5V知UC＜UE，由UBC＝4.8V知UB＞UC，综上UC＜UB＜UE,即为PNP管。
3．不加栅源电压，存在导电沟道的场效应管是( )。[北京邮电大学2010研]
A．P沟道增强型场效应管
B．N沟道耗尽型场效应管
C．P沟道结型场效应管
D．N沟道增强型场效应管
【答案】BC查看答案
【解析】凡栅源电压为0时，漏极电流也为0的管子均属于增强型管；凡栅源电压为0时，漏极电流不为0的管子均属于耗尽型管。结型场效应管当栅源电压为0时，耗尽层较窄，导电沟道较宽。
二、计算分析题
1．测量某硅BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域。
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
[哈尔滨工业大学2005研]
解：根据管子的状态判断其工作区域：放大区，
；截止区，
；饱和区，
。
(1)
放大区。
(2)
放大区。
(3)
饱和区。
(4)
截止区。
(5)
饱和区。
2．已知某场效应管的IDSS＝10mA，UP＝－4V，试绘出该管的转移特性曲线，并计算在uGS＝0时的gm0。[北京航空航天大学2005研]
解：由题意可知，该管为结型场效应管，利用它的转移特性方程
对应不同的uGS求出相应的漏极电流iVD，如表1-1所示。
表1-1
根据表1.1所列数据作出uDS为定值的转移特性曲线，如图1.26所示。
因为低频跨导，所以有
比较两式，得
可见，零偏压跨导gm0越大，表示场效应管的放大能力越强。
图1-2
3．稳压管电路如图1-3所示，已知稳定的电压UZ＝6V，允许功耗PZM＝180mW。试回答：
(1)当RL＝1kΩ时，
(2)当RL＝50Ω时，
(3)当RL＝50Ω时，仍保持稳定电路正常工作，须采取什么措施?[东南大学2002研]
图1-3
解：(1)设稳压管不导通，则其开路管压降为
超过了稳压管的击穿电压6V，故稳压管可击穿而进入稳压状态。
因此有
可见，稳压管可安全工作。
(2)若RL＝50Ω，设稳压管未击穿，则其开路管压降为
远小于稳压管的击穿电压6V，故稳压管不工作。
因此有
UZ＝UO＝2.4V
（3）若在RL＝50Ω的情况下，仍要稳压管工作而起稳压作用，则必须减小限流电阻R。
由KCL，IR＝IL+IZ
假设稳压管工作，则有UL＝6V，IL＝0.12A，
有UR＝6V故IR＝6/R
知当正常工作时，IR、IL、IC均大于0
故得RL
求稳压管临界电流
总临界电流为
限流电阻R必须符合以下关系：
＝40
故取限流电阻R的阻值需满足
。
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