电子技术基础模拟部分名校考研真题精讲及典型题分类解析 KSD版 康华光

第一部分　半导体器件及其电路
一、填空题：
１．半导体中有　　　　两种载流子。
答案：自由电子和空穴
２．在Ｐ型半导体中，多数载流子是　　　　；在Ｎ型半导体中，多数载流子是　　　　。
答案：空穴，自由电子
３．在ＰＮ结不加外部电压时，扩散电流　　　　漂移电流，此时ＰＮ结中的电流　　　　。
答案：等于，等于零
４．在ＰＮ结外加正向时，扩散电流　　　　漂移电流，空间电荷区的宽带　　　　。
答案：大于，变窄
５．二极管的正向电阻　　　　，反向电阻　　　　。
答案：小，大
６．三极管起放大作用的内部条件是：发射区掺杂浓度　　　　；基区杂质浓度比发射区杂质浓度
　　　　，基区宽带　　　　；集电结面积比发射结面积　　　　。
答案：高；低，窄；大
７．三极管工作在饱和区时，发射结为　　　　，集电结为　　　　；工作在放大区时，发射结为　　　
　，集电结为　　　　。此时，流过发射结的电流主要是　　　　，流过集电结的电流主要是　　　　。
答案：正偏，正偏；正偏，反偏；扩散电流，漂移电流
８．ＮＰＮ型和ＰＮＰ型三极管的区别是　　　　。
答案：Ｐ区和Ｎ区的位置不同
９．Ｎ型半导体是在本征半导体中掺入　　　　元素，其多数载流子是　　　　，少数载流子是　　　　。
答案：五价；自由电子；空穴
１０．双极型晶体管有　　　　和　　　　两种类型。晶体管主要有　　　　、　　　　和　　　　
三个工作区。
答案：ＮＰＮ；ＰＮＰ；放大、饱和、截止
１１．场效应管属于　　　　控制器件。场效应管从结构上分成　　　　和　　　　两大类。
答案：电压、结型（ＪＦＥＴ）、绝缘栅型（ＭＯＳＦＥＴ）
１２．场效应管的输入电阻　　　　，漏极电流ＩＤ
主要受　　　　控制。
答案：较大、栅源电压Ｕｇｓ
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