电子技术基础模拟部分名校考研真题精讲及典型题分类解析 KSD版 康华光 |
第一部分 半导体器件及其电路
一、填空题: 1.半导体中有 两种载流子。 答案:自由电子和空穴 2.在P型半导体中,多数载流子是 ;在N型半导体中,多数载流子是 。 答案:空穴,自由电子 3.在PN结不加外部电压时,扩散电流 漂移电流,此时PN结中的电流 。 答案:等于,等于零 4.在PN结外加正向时,扩散电流 漂移电流,空间电荷区的宽带 。 答案:大于,变窄 5.二极管的正向电阻 ,反向电阻 。 答案:小,大 6.三极管起放大作用的内部条件是:发射区掺杂浓度 ;基区杂质浓度比发射区杂质浓度 ,基区宽带 ;集电结面积比发射结面积 。 答案:高;低,窄;大 7.三极管工作在饱和区时,发射结为 ,集电结为 ;工作在放大区时,发射结为 ,集电结为 。此时,流过发射结的电流主要是 ,流过集电结的电流主要是 。 答案:正偏,正偏;正偏,反偏;扩散电流,漂移电流 8.NPN型和PNP型三极管的区别是 。 答案:P区和N区的位置不同 9.N型半导体是在本征半导体中掺入 元素,其多数载流子是 ,少数载流子是 。 答案:五价;自由电子;空穴 10.双极型晶体管有 和 两种类型。晶体管主要有 、 和 三个工作区。 答案:NPN;PNP;放大、饱和、截止 11.场效应管属于 控制器件。场效应管从结构上分成 和 两大类。 答案:电压、结型(JFET)、绝缘栅型(MOSFET) 12.场效应管的输入电阻 ,漏极电流ID 主要受 控制。 答案:较大、栅源电压Ugs 链接:https://pan.baidu.com/s/1rIF_liLYpISVs3Oi0ami7g
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