复旦《集成电路设计》专业课程考试大纲

复旦《集成电路设计》专业课程考试大纲
考试题型：问答题，分析计算题。
参考书：①虞惠华等译，专用集成电路（第1、2、3、5章），电子工业出版社，2004年
②Jan M. Rabaey，Digital Integrated Circuits，Prentice Hall，1999年
③拉扎维著，模拟CMOS集成电路设计，西安交通大学出版社，2003年
总分：50分
一、模拟集成电路设计
1.CMOS模拟集成电路设计导论
2.MOS器件物理基本概念
3.单级放大器分析
分析电路的增益、线性度、电压摆幅、功耗、输入/输出阻抗等。
共源级, 源跟随器, 共栅级, 共源共栅级。
4.差分放大器
基本的差分对的分析
MOS负载的差分放大器
CMOS差分放大器
5.单级放大器的频率响应
共源级,源跟随器,共栅级,共源共栅级,差分放大器的频响分析
6.偏置电路
基本电流源
Cascode电流源、低电压Cascode电流源。
和电源无关的, 和温度无关的偏置电路
7.CMOS运放
CMOS运放的性能参数
一级CMOS运放和Gain Boosting
二级CMOS运放：一般结构、输入范围、共模反馈、压摆率和频率补偿。

二、数字集成电路设计
1集成电路器件
1.1PN二极管（理想特性和二级效应）
1.2MOS场效应晶体管（理想特性和二级效应）
2CMOS反相器
2.1静态特性及参数
2.2动态特性及参数
2.3功耗特性
3CMOS组合逻辑
3.1静态互补CMOS逻辑
3.2比例CMOS逻辑（准NMOS结构）
3.3传输晶体管逻辑
3.4动态CMOS
4CMOS时序逻辑
4.1静态锁存器、寄存器
4.2动态锁存器、寄存器
4.3非双稳态时序电路

三、有关专用集成电路设计的基本知识
1、ASIC基本概念
1.1  ASIC类型及特点
1.2  IC的设计和制造过程
1.3  ASIC技术现状和发展趋势
2、ASIC设计流程和设计方法
2.1  Top-Down和Bottom-Up设计流程
2.2  硬件描述语言及设计描述
2.3  设计方法
      逻辑综合、行为级验证、动态和静态时序验证，版图验证和版图后仿真等
3、ASIC测试方法
3.1  组合电路的测试方法
3.2  时序电路的测试方法
3.3  可测性设计
4、常用设计工具
5、有关FPGA的基本知识