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标题:
2008年复旦专业试题
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作者:
liuyuz
时间:
08-6-28 22:40
标题:
2008年复旦专业试题
本帖最后由 liuyuz 于 2013-11-17 13:02 编辑
2008年复旦DDIM专业试题
一.名词解释.
scarcity
perato economics
short-run equilibrium
long-run equilibrium
忘记了,想起来了再补充吧.
题目顺序可能不对.
简答:
management skills
TQM
distribution channel function(是那本8百多页的书里的一个小角落里的)
waht is entrepreurship?and how to manage entrepreurship?
经济学出了一道IS-LM模型的题,30分.
管理学的简答题很的多,都是9分,10分一题,赚那几分很不容易.....
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www.cnkaoyan.net
作者:
liuyuz
时间:
08-6-28 22:41
本帖最后由 liuyuz 于 2013-12-23 22:05 编辑
复旦大学2008年文学语言综合知识试题
名词解释(共10个)
四始六义
神话思维
《语助》(卢以纬著)
互补分布
前七子,后七子
十八韵
自然主义
填空(2题10个空)
1.《文选》编者的朝代,姓名,《文选序》中的一句句子填空
2.关于元稹《莺莺传》,董解元《西厢记诸宫调》,王实甫《西厢记》的
简答(2题)
1.如何推求词的本义
2.现代汉语中外来语的种类
论述(5题)
1.汉语句子的功能分析法
2.论述创造社、太阳社对鲁迅的攻击及其在中国现代文学史上的意义
3.日本新感觉派文学的特点
4.《离骚》在艺术构思上的特点
5.论述胡风在四十年代的文艺理论与毛泽东《在延安文艺座谈会上的讲话》的观点差异
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作者:
liuyuz
时间:
08-6-28 22:41
本帖最后由 liuyuz 于 2013-12-23 22:05 编辑
补充
名词解释
商代文字
美狄亚
陌生化
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http://cnkaoyan.net
作者:
liuyuz
时间:
08-6-28 22:42
本帖最后由 liuyuz 于 2013-11-17 13:03 编辑
复旦大学2008年半导体器件原理试题
一.选择题15*6
1。p+-n结耗尽层宽度主要取决于:
A:p+区浓度 B:n区的浓度 C:p+区和n区的浓度
2。二极管正向阈值电压Vf:
A:随温度升高而升高 B:随温度升高而下降 C:不随温度变化
3。p-n结隧穿电压比雪崩击穿电压:
A:来得大 B:来得小 C:在同一数量级上
4。双极型晶体管共基极连接:
A:只有电流放大作用B:既有电流放大作用又有电压放大作用C:无电流放大有电压放
大
5。晶体管基区运输系数主要决定于:
A:基区浓度 B:基区电阻率和基区少子寿命 C:基区宽度和基区少子扩散长度
6。npn平面晶体管发射效率与发射区浓度关系;
A:发射区浓度越高发射效率越高 B:发射区电阻率越高发射率越高 C:发射区浓度
不能太高否则发射率反而下降
7。电子迁移率等于1500,400K温度下其扩散系数为:
A:39 B:52 C:70
8。题目给出mos结构的Qsc~ψs关系图,要求判断其衬底是什么型(n型,p型,中性)
9.理想的mos结构C~V关系图与实际的C~V关系图的差别是:
A:只有p型时,向负方向平移一段距离 B:n型时向正方向平移一段距离 C:向负方
向平移一段距离,与类型无关
10.mos管"缓变沟道近似"是指:
A:垂直与沟道方向电场和沿沟道方向电场变化很慢 B:沿沟道方向的电场变化很慢
C:沿沟道方向的电场很小
11.mos工作时的沟道夹断点电压Vdsat:
A:与栅电压Vgs无关 B:在长沟道与短沟道是不同 C:始终等于Vgs-Vt
12.nos管体电荷变化效应是指;
A:衬源偏压Vbs对阈值电压Vt的影响 B:沟道耗尽层受栅压Vgs影响而对电流Ids影
响 C:沟道耗尽层受栅压漏源电压Vds影响而对电流Ids影响
13.mos亚阈值电流的主要特征:
具体选项没记下,主要是电流随Vgs指数变化,当Vds大于3KT/q时电流与Vds关系不
大
14.nos管短沟道效应是指:
选项没有记下
15.控制cmos倒相管latch-up最有效的方法:
A:提高沟道电场 B:等比率缩小器件 C:增大衬底电阻
二.名词解析5*6
1.试说明迁移率的定义是什么?其量纲是什么?
2.试说明mos管沟道长度调变效应及其影响
3.试说明mos管有放大作用的基本原理
4.试说明mos管的频率特性和其基本参数的关系
5.试说明如何降低n沟道mos集成倒相器静态工作时的功耗
三.计算题1*30
有一个n沟道mos场效应管,衬底浓度Na=10^17(cm^-3),氧化层厚度Tox=5
0nm,氧化层中正电荷密度Nss=10^10(cm^-2),金属AL的功函数Wm=4.
2ev,硅的电子亲和势为4.05ev.试求该管的阈值电压Vt,它是什么型?在Vg=3
v,Vds=2v时,它工作在什么区?(注:其他的所有常数都没有给出)
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中国考研网:
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作者:
HUWEN125
时间:
08-7-1 21:30
复旦 我一定要拿下你
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pipitang3
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08-7-2 23:08
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lipeng0047
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08-7-8 21:26
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作者:
SUHU
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08-7-15 12:09
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追梦男孩
时间:
08-7-23 19:31
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作者:
tmguainhh
时间:
08-8-14 15:33
好人一生平安!
作者:
123lansing
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08-8-14 23:19
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作者:
虫子杠子
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08-8-15 20:48
呵呵
好哥们
好样的
顶
呵呵
作者:
redfoxs
时间:
08-8-17 13:44
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作者:
世界的尽头
时间:
08-8-21 15:35
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作者:
世界的尽头
时间:
08-8-21 15:36
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作者:
lxlcxy
时间:
08-8-21 21:00
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作者:
虫子杠子
时间:
08-8-23 08:56
研究生考试,保持良好心态是关键!!
作者:
黎初
时间:
08-9-11 23:39
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作者:
haiweizhiyou
时间:
08-10-12 17:58
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作者:
行知
时间:
08-10-16 19:51
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作者:
虫子杠子
时间:
08-10-23 21:01
谢谢楼主谢谢楼主谢谢楼主
作者:
自然新贵族
时间:
08-10-24 17:19
复旦 我一定要拿下你
作者:
自然新贵族
时间:
08-10-24 17:20
复旦 我一定要拿下你
复旦 我一定要拿下你
作者:
lvzh51
时间:
08-10-28 16:24
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作者:
capray
时间:
08-10-29 17:29
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作者:
capray
时间:
08-10-29 17:30
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作者:
capray
时间:
08-10-29 17:31
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作者:
sunshine2005
时间:
08-11-6 10:05
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作者:
一根稻草515
时间:
08-11-6 13:11
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作者:
edwardxy
时间:
08-11-7 23:30
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作者:
lww198885
时间:
08-12-13 17:17
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作者:
liuyuz
时间:
09-1-21 01:47
欢迎顶帖子。。。。。
作者:
liuyuz
时间:
09-2-7 22:00
是爷们就顶一下。。。。。
作者:
sheggy
时间:
09-2-21 22:44
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作者:
zhangyan2009fen
时间:
09-3-20 15:44
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作者:
zhangyan2009fen
时间:
09-3-20 15:45
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作者:
LIXINGZHE1218
时间:
09-3-21 11:17
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作者:
33gongfang33
时间:
09-3-31 22:48
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作者:
lepon
时间:
09-4-10 20:26
楼主真是活雷锋呀
作者:
小鱼儿2006
时间:
09-4-14 20:21
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作者:
Jessicalxh
时间:
09-5-14 21:21
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作者:
图图的朋友
时间:
09-5-25 15:15
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作者:
THTYJ
时间:
09-5-30 18:42
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作者:
guojiays
时间:
09-6-19 21:58
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作者:
虫子杠子
时间:
09-6-26 18:15
楼主辛苦了,好人一生平安!
作者:
fudan2010
时间:
09-7-4 00:31
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作者:
z584889804
时间:
09-7-19 11:37
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作者:
liuyuz
时间:
09-7-28 22:33
是爷们就顶一下。。。。。
作者:
liuyuz
时间:
09-8-11 21:34
是爷们就顶一下。。。。。
作者:
luxi1985
时间:
09-8-18 20:41
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作者:
laiba2009
时间:
09-8-18 20:47
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作者:
mackenzie
时间:
09-8-23 18:32
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作者:
虫子杠子
时间:
09-8-28 01:24
支持楼主好心人
作者:
虫子杠子
时间:
09-9-1 23:24
记下了谢谢!
作者:
liuyuz
时间:
09-9-8 13:55
希望大家喜欢!
作者:
老二123456
时间:
09-11-5 12:19
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作者:
田野小穗
时间:
13-10-16 17:43
好
作者:
liuyuz
时间:
13-11-17 13:03
怎么没有人顶一下呢
作者:
东篱诗诗
时间:
13-12-17 17:46
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作者:
虫子杠子
时间:
14-2-24 23:01
支持楼主好心人
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