天津大学微电子2013年微电子复试笔试考研真题

2013年复试笔试试卷 
1，英语    Vbi  影响因素NA ND Ni T 
               正向偏压，势垒区降低，少数载流子 

2，栅调制击穿与雪崩击穿      

其余原题 

3，设计 ！ＡＢ＋ＣＤ  ！（Ｅ＋Ｆ）Ａ＋Ｂ 

４，大扇入优化 

５，静态ＣＭＯＳ 

６，Ｃ２ＭＯＳ时钟变差无影响 

７，最大最小延时  答案： 

1. 书上包括时钟偏差，时钟抖动在内计算周期的公式，可以先把那几页看一下。

 2. 题目与12年图形相似，其中两个反相器的时间就是时钟偏差 

3. 题目所求的就是逻辑电路的最大和最小延时tlogic. 

4. 两个不等式中各变量，在题目中除了时钟偏差如上所理解，其余全部告诉 

5. 带入两个不等式，解出tlogic.范围即可

tc-q，cd=tc-q么？